EI(electronics-inc)流量閥

產(chǎn)品概述

EI Electronics MC MagnaValve是新一代工業(yè)級智能流量控制閥，專為壓力、高潔凈度及超精密流體場景設(shè)計。其創(chuàng)新性融合了EI的MagnaCore™多級磁感驅(qū)動系統(tǒng)與嵌入式AI控制芯片，可在0.1-50 bar超寬壓力范圍內(nèi)穩(wěn)定調(diào)節(jié)氣體、液體及納米級懸浮介質(zhì)的流量。該產(chǎn)品廣泛應用于半導體制造、氫能儲運、生物醫(yī)藥等高技術(shù)領(lǐng)域，以納米級精度、全生命周期自診斷及多協(xié)議物聯(lián)能力，重新定義工業(yè)流體控制標準。

核心技術(shù)特點

多級磁感驅(qū)動架構(gòu)（MagnaCore™）?

采用五層軸向磁路陣列設(shè)計，驅(qū)動力密度較傳統(tǒng)電磁閥提升3倍，響應時間≤5ms。閥芯采用碳化硅陶瓷與納米鍍層工藝，耐受氫氟酸、超純水等介質(zhì)，工作溫度范圍擴展至-196℃（深冷）至300℃（高溫），使用壽命突破5000萬次循環(huán)。

AI動態(tài)校準系統(tǒng)?

集成多模態(tài)傳感器（流量、壓力、溫度、振動），每秒執(zhí)行2000次數(shù)據(jù)采集，通過內(nèi)置TensorFlow Lite模型實時優(yōu)化控制參數(shù)。支持MQTT/OPC UA協(xié)議，實現(xiàn)與工業(yè)4.0平臺的毫秒級數(shù)據(jù)同步，流量控制精度達±0.1% FS。

全封閉潔凈設(shè)計?

閥體采用電化學拋光316L超低碳不銹鋼，流道表面粗糙度Ra≤0.1μm，滿足SEMI F57超純水標準。可選配真空級密封（漏率＜1×10?? mbar·L/s）與ISO 1級潔凈室裝配工藝，適配芯片光刻膠、疫苗原液等超敏感介質(zhì)輸送。

應用場景

半導體制造?：極紫外光刻（EUV）設(shè)備冷卻劑流量控制、晶圓清洗超純水分配。

氫能源系統(tǒng)?：70MPa高壓氫氣管網(wǎng)壓力調(diào)節(jié)、液氫儲罐加注流量管理。

生物制藥?：mRNA疫苗微流控生產(chǎn)、一次性生物反應器培養(yǎng)基精準供給。

科研裝置?：聚變堆超導磁體液氦循環(huán)、同步輻射光源液態(tài)金屬靶控制。

性能優(yōu)勢

超高壓能力?：50 bar連續(xù)工作壓力，峰值耐受100 bar沖擊載荷。

納米級潔凈?：通過FDA 21 CFR Part 11電子記錄認證，顆粒釋放量＜5 particles/mL（≥0.5μm）。

自主運維?：數(shù)字孿生系統(tǒng)預測閥門健康狀態(tài)，自動生成維護工單并推送備件清單。

能效?：動態(tài)功耗＜2W（@24VDC），較同類產(chǎn)品節(jié)能60%。

技術(shù)參數(shù)

項目參數(shù)值

公稱通徑DN6/DN10/DN15/DN20

工作壓力0.1-50 bar（標準）/ 100 bar（定制）

介質(zhì)兼容性氣體/液體/納米漿料（粘度≤10? cP）

控制信號4-20mA/EtherCAT/Profinet IRT

泄漏等級ANSI/FCI 70-2 Class VI（金屬密封）

認證標準SEMI S2/S8、ASME BPE、ISO 14644-1

安裝與維護

需采用無應力安裝工藝，配套EI HyperMount™對中夾具確保法蘭平行度≤0.02mm。維護時通過NFC近場通信獲取設(shè)備檔案，支持熱插拔更換核心模塊（MTTR＜15分鐘）。每5年執(zhí)行一次全性能校準，EI全*服務中心提供原位標定服務。

認證與質(zhì)保

通過ISO 9001:2015、CE（2014/34/EU ATEX）、SIL 3（IEC 61508）認證，質(zhì)保期升級至5年（含AI核心模塊）。所有生產(chǎn)數(shù)據(jù)上鏈存證，用戶可通過EI Blockchain Portal追溯每個零部件的材料批次與測試記錄。

如需獲取潔凈室安裝指南或參與定制化開發(fā)項目，請登錄EI Industry 4.0 Hub或聯(lián)系專屬技術(shù)顧問。

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